商丘回收电阻呆滞电子料 长期贴片IC呆料回收工厂
SX8660I06YULTRT
MPSA13G-T92-K
DS75S-C11+
UCC3977PW TI/BB TSSOP8
UC2845AN TI/BB PDIP8
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MCR708A1 ON SEMICONDUCTOR
ST16C2550CQ48-F
SN74AHC125PWR
区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管Zui常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）
区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。
在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。[1]
当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
在室温下，实际二极管：硅二极管的死区电压为0.6~0.8V，正向压降为0.6~0.7V；锗二极管的死区电压约0.1~0.3V，正向压降为0.2~0.3V。
CD74HCT240M TEXAS INSTRUMENTS
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